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半導體器件高低溫測試設(shè)備

設(shè)備介紹：

產(chǎn)品用途：半導體器件高低溫測試設(shè)備是專業(yè)用于電子電工環(huán)境老化的試驗設(shè)備，可以準確地模擬低溫、高溫、高溫高濕、低溫低濕等復雜的自然狀環(huán)境，適用于塑膠、電子電工產(chǎn)品、食品、儀器儀表、零部件、化學、建材等多種行業(yè)的產(chǎn)品可靠性檢測。

執(zhí)行滿足標準及試驗方法：

GB11158 高溫試驗箱技術(shù)條件                         

GB/T10586-89 濕熱試驗箱技術(shù)條件               

GB/T2423.2-2001 高溫試驗箱試驗方法          

IEC60068-2-1.1990 低溫試驗箱試驗方法       

GJB150.3 高溫試驗                                             

GB10589-89 低溫試驗箱技術(shù)條件

GB/T2423.1-2001 低溫試驗箱試驗方法

GB/T2423.22-2001 溫度變化試驗方法

IEC60068-2-2.1974 高溫試驗箱試驗方法

GJB150.4 低溫試驗

半導體器件高低溫測試設(shè)備技術(shù)參數(shù)：

1.試驗箱容積：80L、100L、150L、225L、408L、800L、1000L（其它可非標定制）

2.內(nèi)箱尺寸：最小W(寬)400 mm×H(高)500mm×D(深)400mm起

3.調(diào)溫調(diào)濕：靜平衡制冷能量調(diào)節(jié)技術(shù)（國際先進技術(shù)）

4.溫度范圍：C:-40℃~+150℃;D:-70℃~+150℃;B:-20℃~+150℃;A:0℃~+150℃

5.濕度范圍：20% ~ 98%RH

6.溫度波動度：≤±0.5℃

7.濕度波動度：≤±2.5%RH

8.溫度偏差：≤±2.0℃

9.濕度偏差：+2～-3％（＞75％RH），±5％（≤75％RH）

10.溫度均勻度：≤2.0℃

11.升溫時間：+20℃升至+150℃，全程平均，3℃/分鐘

12.降溫時間：+20℃降至-70℃，全程平均，1℃/分鐘

13.冷卻方式：風冷

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